型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: 软开关系列 Soft Switching Series33685-49¥15.104750-199¥14.4592200-499¥14.0977500-999¥14.00741000-2499¥13.91702500-4999¥13.81375000-7499¥13.7492≥7500¥13.6846
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGB5B120KDPBF 晶体管, IGBT32265-24¥2.268025-49¥2.100050-99¥1.9824100-499¥1.9320500-2499¥1.89842500-4999¥1.85645000-9999¥1.8396≥10000¥1.8144
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A,Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。50885-49¥12.916850-199¥12.3648200-499¥12.0557500-999¥11.97841000-2499¥11.90112500-4999¥11.81285000-7499¥11.7576≥7500¥11.7024
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品类: IGBT晶体管描述: Co-Pack IGBT 超过 21A,Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。115810-99¥9.3480100-499¥8.8806500-999¥8.56901000-1999¥8.55342000-4999¥8.49115000-7499¥8.41327500-9999¥8.3509≥10000¥8.3197
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 650V Sot22778931-9¥288.270510-49¥280.750450-99¥274.9850100-199¥272.9796200-499¥271.4756500-999¥269.47031000-1999¥268.2169≥2000¥266.9636
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 3000V 80A 400000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD20231-9¥764.461210-49¥737.638050-99¥734.2851100-149¥730.9322150-249¥725.5676250-499¥720.8735500-999¥716.1794≥1000¥710.8148
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 1700V 60A 250W To26846441-9¥237.946510-49¥231.739250-99¥226.9803100-199¥225.3250200-499¥224.0835500-999¥222.42831000-1999¥221.3937≥2000¥220.3592
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD182420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: MOSFET DRVR 2A 2Out Lo Side Inv 8Pin SOIC Tube511520-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 1700V 110A 1040W Plus24783321-9¥512.083510-49¥498.724850-99¥488.4831100-199¥484.9208200-499¥482.2491500-999¥478.68681000-1999¥476.4603≥2000¥474.2339
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 63000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 22088315-49¥21.563150-199¥20.6416200-499¥20.1256500-999¥19.99661000-2499¥19.86752500-4999¥19.72015000-7499¥19.6280≥7500¥19.5358
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 145A 595000mW 4Pin SOT-227B25711-9¥340.860010-49¥331.968050-99¥325.1508100-199¥322.7796200-499¥321.0012500-999¥318.63001000-1999¥317.1480≥2000¥315.6660
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB237420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3Pin PLUS 264974620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXGP30N60C3C1 单晶体管, IGBT, SIC, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚598110-99¥11.8440100-499¥11.2518500-999¥10.85701000-1999¥10.83732000-4999¥10.75835000-7499¥10.65967500-9999¥10.5806≥10000¥10.5412
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2 Rds45091-9¥48.275410-99¥45.5055100-249¥43.4479250-499¥43.1313500-999¥42.81471000-2499¥42.45862500-4999¥42.1421≥5000¥41.9442
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 900V 40A 100000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24750501-9¥78.878510-99¥75.4490100-249¥74.8317250-499¥74.3516500-999¥73.59711000-2499¥73.25412500-4999¥72.7740≥5000¥72.3625
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin(3+Tab) TO-220444120-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 1200V 75A 380W TO24783701-9¥82.846010-99¥79.2440100-249¥78.5956250-499¥78.0914500-999¥77.29891000-2499¥76.93872500-4999¥76.4344≥5000¥76.0022
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 350000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24753451-9¥154.019510-49¥150.001650-99¥146.9212100-199¥145.8498200-499¥145.0462500-999¥143.97481000-1999¥143.3051≥2000¥142.6355
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 200 Amps 600V460020-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3Pin(2+Tab) TO-26855511-9¥78.533510-99¥75.1190100-249¥74.5044250-499¥74.0264500-999¥73.27521000-2499¥72.93372500-4999¥72.4557≥5000¥72.0460
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 300V 400A TO3P80991-9¥57.022810-99¥53.7510100-249¥51.3205250-499¥50.9466500-999¥50.57271000-2499¥50.15202500-4999¥49.7781≥5000¥49.5444
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P79001-9¥46.628410-99¥43.9530100-249¥41.9656250-499¥41.6598500-999¥41.35401000-2499¥41.01012500-4999¥40.7043≥5000¥40.5132
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。38921-9¥260.440510-49¥253.646450-99¥248.4376100-199¥246.6258200-499¥245.2670500-999¥243.45531000-1999¥242.3229≥2000¥241.1906
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-264AA167620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD154320-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 900V 165A 830W TO26836251-9¥85.905010-99¥82.1700100-249¥81.4977250-499¥80.9748500-999¥80.15311000-2499¥79.77962500-4999¥79.2567≥5000¥78.8085
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。85731-9¥49.214810-99¥46.3910100-249¥44.2933250-499¥43.9706500-999¥43.64791000-2499¥43.28482500-4999¥42.9621≥5000¥42.7604
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。61661-9¥62.537010-99¥59.8180100-249¥59.3286250-499¥58.9479500-999¥58.34971000-2499¥58.07782500-4999¥57.6972≥5000¥57.3709